化学清洗工艺现状和发展方向
化学清洗工艺的研究内容很广,包括:杂质沾污的来源与类型的分析,杂质沾污对器件性能的影响;清洗剂(如有机溶剂、酸、碱、氧化剂、络合剂、净洗剂、合成洗涤剂等)的性质、清除杂质的作用原理以及清洗方法;清洗剂之间的联系、清洗过程中的各种现象;物体表面污物测定、洁净度的检查方法$提高化学清洗质量的措施;高纯去离子水的制备;化学试剂纯度分析、高纯试剂的应用,清洗设备的改进、维护及自动化;化学试剂在室温下或在化学清洗过程中,所产生的有毒粉尘、气体、蒸气对环境的污染和对人体的影响;无毒或极低毒清洗剂的研制和应用,清洗工艺中的安全操作等问题。
化学清洗工艺随着半导体工业的发展,在不断地变化。在半导体器件生产初期,生产工艺较落后,化学清洗很简单,使用的去离子水和化学药品的纯度也很低。随着生产工艺水平的不断提高,对化学清洗质量的要求也越来越高。
为了满足既提高化学清洗的质量,又减少清洗剂对人体的毒害这两方面的要求,改革化学清洗工艺,主要从下列几个方面入手:第一,化学药品要具有高纯度;第二,去离子水具有高质量;第三,清洗剂无毒或极低毒;第四,清洗设备、硅片的传递和夹取要实现自动化,第五,改进或应用新的清洗方法。